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Propriétés du module mémoire
Nom du module Hyundai 76V16635HGT8-H
Numéro de série 606DD104h
Taille du module 128 Mo ( 2 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire SDRAM
Vitesse de mémoire PC133 ( 133 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module LVTTL
Méthode de détection d´erreurs Aucun
Taux de rafraîchissement Normal ( 15.625 us), Self-Refresh
Latence CAS maximale 3.0 ( 7.5 ns @ 133 MHz)
Deuxième latence CAS maximale 2.0 ( 10.0 ns @ 100 MHz)
Fonctionnalités du module mémoire
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Géré
Precharge All Géré
Write1/Read Burst Géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL ( Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire
Nom de l´entreprise Hynix Semiconductor Inc.
Information sur le
produit http://www.hynix.com/eng/products/dram/ind<BR>ex.jsp