Informations générales :
A0 : Vide
A1 : Vide
A2 ( RAS 4) : 256 ( Single Bank) -
Informations Contrôleur Mémoire :
Contrôleur mémoire : Standard, EDO
Nombre de connecteurs : 3
Taille maximum des modules : 32 Mo
Taille maximum mémoire : 96 Mo
Vitesses supportées : 70ns, 60ns
Tensions supportées : 5v
Détection d´erreur : 8-bit Parity
Correction d´erreur : Indéterminé
Entrelacement actuel/supporté : 1-way/1-way
Informations Chipset :
Type : DDR-SDRAM PC3200
Fréquence : 200 MHz
FSB/DRAM Multiplicateur : 5:6
Channels : Single
ECC Diagnostic : Non
CAS Latency ( tCL) : 3 clocks
RAS to CAS ( tRCD) : 3 clocks
RAS Precharge ( tRP) : 3 clocks
Cycle Time ( tRAS) : 8 clocks
Informations EEPROM ( A2) :
Fabricant : Samsung
Part Number : M3 68L3223FTN-CCC
Numéro de série : F1044832
Type : DDR-SDRAM PC3200 ( 200 MHz)
Taille : 256 Mo ( 1 rows, 4 banks)
Module Buffered : Non
Module Registered : Non
Largeur : 64 bits
Correction d´erreur : No
Max. Burst Length : 8
Refresh : Reduced ( .5x)7.8 µs, Self Refresh
Voltage : SSTL 2.5v
Fréquences supportées : 166 MHz, 200 MHz
CAS Latency ( tCL) : 2.5 clocks @166 MHz, 3 clocks @200 MHz
RAS to CAS ( tRCD) : 3 clocks @166 MHz, 3 clocks @200 MHz
RAS Precharge ( tRP) : 3 clocks @166 MHz, 3 clocks @200 MHz
Cycle Time ( tRAS) : 7 clocks @166 MHz, 8 clocks @200 MHz
voila...