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Tandis que les industriels continuent de travailler sur des finesses de gravure opérationnelles de 10,7, voire 5 nm, un laboratoire de l'université de Berkeley a mis au point en partenariat avec le département américain de l'énergie un transistor fonctionnel de 1 nm.
Pour réussir cette prouesse, les chercheurs ont laissé tomber le silicium, dont on estime que l’efficacité diminue sous les 5nm, pour se concentrer sur de nouveaux matériaux. C’est le disulfure de molybdène (MoS2), un lubrifiant pour moteur, qui a été utilisé.
Le transistor de 1 nm est alors constitué de trois éléments : disulfure de molybdène pour l’essentiel, dioxyde de zirconium (ZrO2) pour la partie diélectrique et un nanotube de carbone pour la grille. Nous vous renvoyons à notre dossier Au Clair de la Tech sur la finesse de gravure, si vous souhaitez avoir une vue plus précise de ces différents éléments du transistor.
Evidemment, quoi que cette avancée mérite d'être saluée, ce n'est pas pour autant qu'elle dépassera le stade expérimental. Outre la complexité technique des procédés de fabrications mis en oeuvre, l'utilisation du disulfure de molybdène n'amène pas que des avantages, et se traduit notamment par des vitesses de transistors réduites. De fait, Les principaux acteurs du marché travaillent déjà sur des alternatives à ce matériau, et ils pourraient lui préférer l'arséniure de gallium-indium ou le phosphure d'indium, par exemple.
Les résultats de l'étude ont été publiés en détail dans la revue scientifique Science (en anglais).